GaAs平面掺杂势垒二极管

发布时间：2018-07-02 06:51

  本文选题：平面掺杂势垒(PDB)二极管 + 金属有机化合物气相淀积(MOCVD)　； 参考：《半导体技术》2017年01期

【摘要】：二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长。对PDB二极管的物理模型进行了理论分析。通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响。通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20~25 mV/mW。
[Abstract]:Diode is an important component of directional geophone. To improve the detection sensitivity of directional detector, it is necessary to reduce the starting voltage of diode. The planar doped barrier (PDB) diode has a very low barrier height and is suitable for making directional geophone. The structure of GaAs planar doped barrier diodes was designed and epitaxial growth was carried out by metal-organic compound vapor deposition (MOCVD) method. The physical model of PDB diode is analyzed theoretically. The effects of the thickness of the intrinsic layer and the surface charge density of the p-layer on the I-V characteristics of PDB diodes are analyzed by simulation and experiments. The material structure parameters were optimized by experimental design and its I-V characteristics were tested. The threshold voltage of PDB diode was reduced to 0.06 V, and the detection sensitivity was 20 ~ 25 MV / mW when the sample was applied to a directional detector.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN31

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本文编号：2089284