柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性

发布时间：2018-07-04 15:53

  本文选题：柔性 + 低温多晶硅薄膜晶体管　； 参考：《发光学报》2017年09期

【摘要】：研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm~2/(V·s)降到45.17 cm~2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。
[Abstract]:The bias stability of p type low temperature polysilicon thin film transistors with polyimide as substrate was studied under different bending radii. When the radius of curvature changes from 15 mm to 3 mm, the threshold voltage is the same as that at flat state (Vth-1.34 V), and the mobility 渭 sat is decreased from 45.65 cm~2/ (V s) to 45.17 cm~2/ (V s), switching ratio) in the tensile bending state, while in the compression bending state, the mobility 渭 sat decreases from 45.65 cm~2/ (V s) to 45.17 cm~2/ (V s), switching ratio). The transition characteristic curve is very consistent with the flat state. When the minimum bending radius is 3 mm, the stability of positive and negative bias voltage is tested. The results show that the device still has good stability.
【作者单位】： 上海大学材料科学与工程学院;上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室;上海天马微电子有限公司;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033406) 上海科学技术委员会项目(16JC1400602)资助~~
【分类号】：TN321.5

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本文编号：2096577