一种SiGe BiCMOS 3级级联60GHz LNA

发布时间：2018-07-04 16:49

  本文选题：低噪声放大器 + 噪声系数　； 参考：《微电子学》2017年02期

【摘要】：基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响。在3.3V供电电压下,60GHz频率处的功率增益S_(21)达到21.8dB,噪声系数NF为6.1dB;在58~65GHz频段内,输入和输出反射系数S_(11)和S_(22)均小于-10dB。
[Abstract]:Based on 0.18 渭 m SiGe BiCMOS process, a high gain single-terminal 3-stage cascaded 60GHz low noise amplifier is designed. The LC resonance is used to reduce the transmission loss. The inductance L is introduced to the output parasitic capacitance of higher level and the parasitic capacitance of lower input is resonant to reduce the influence of parasitic effect. The power gain S21 is 21.8dBand the noise coefficient NF is 6.1dBat 60GHz frequency at 3.3V supply voltage, and the input and output reflection coefficients S11 and S22 are less than -10dB in the 585GHz frequency range.
【作者单位】： 重庆邮电大学光电工程学院/重庆国际半导体学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61404019)
【分类号】：TN722.3

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本文编号：2096715