一种应用于MOCVD的3波长在线红外测温方法

发布时间：2018-07-09 13:51

  本文选题：MOCVD + 在线监测　； 参考：《应用光学》2017年04期

【摘要】：根据金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在线红外测温的发展需要,提出一种3波长免探测孔有效面积校准和反射率修正的测温方法。给出了探测1 300nm、1 150nm、940nm 3波长的在线测温探头设计方案和光路图,将该探头应用于THOMAS SWAN CCS MOCVD 5.08cm(2英寸)Si(111)衬底上生长10μm GaN外延层的在线测温。测量结果表明:在700℃~1 100℃范围内,探头多次测量的重复性误差在1.0℃内,在950℃~1 100℃范围内,以EpiTT红外测温仪为参考,探头测温精度在1℃内,距离容差性为2mm。该探头应用于我国自主研发的MOCVD 5.08cm Si(111)衬底上生长InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片,可得最低测温量程为435℃,nGaN生长过程中测量噪声为0.75℃。结果分析表明:该3波长免修正在线红外测温法对于高质量单层薄膜外延生长具有一定可行性,对于多层复杂结构外延生长需要进一步改进。
[Abstract]:According to the development needs of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) on line infrared temperature measurement, a temperature measurement method with three wavelengths without detection hole effective area calibration and reflectivity correction is proposed. In this paper, the design scheme and optical circuit diagram of the on-line temperature measurement probe for detecting the wavelength of 1 300 nm ~ (-1) 150 nm ~ (-1) nm are presented. The probe is applied to the measurement of the temperature of 10 渭 m gan epitaxial layer grown on the THOMAS Swan CCS MOCVD 5.08cm (2 inch) Si (111) substrate. The results show that in the range of 700 鈩，

本文编号：2109571