液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究

发布时间：2018-07-20 16:37

【摘要】：通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。
[Abstract]:In situ au doped HgCdTe thin films were prepared on zinc cadmium tellurium substrates by liquid phase epitaxy (LPE). X-ray double crystal diffractometer with metallographic microscope and Hall Hall measurement with secondary ion mass spectrometer were used. The au doped HgCdTe thin films were characterized by minority carrier lifetime measurements. The surface morphology and lattice quality of the au doped HgCdTe films were approximately the same as those of the conventional HgCdTe epitaxial materials, and the minority carrier lifetime was increased by at least one order of magnitude compared with the conventional materials. A 256 脳 256 detector chip with cutoff wavelength of 10 渭 m was successfully fabricated. The nonuniformity of response rate was 2.85 and the effective pixel rate was 99.2%.
【作者单位】： 华北光电技术研究所;
【分类号】：TN213

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本文编号：2134121