碳化硅肖特基器件技术研究

发布时间：2018-07-29 16:36

【摘要】：针对碳化硅肖特基二极管的关键技术,促进国内碳化硅肖特基二极管有理论研究走向实际产品并向应用发展,力求解决碳化硅肖特基二极管设计及制造过程中的技术问题,深入分析氧化技术,刻蚀技术,掺杂技术,金属化技术等关键技术,研制出碳化硅肖特基二极管器件,并且器件技术指标良好。器件已应用在开关模式电源的有源功率因数校正和电机驱动器等电源转换方面,达到了漏电流小,通态电阻低,高温工作稳定性良好等要求。
[Abstract]:In view of the key technology of silicon carbide Schottky diode, the domestic silicon carbide Schottky diode has the theoretical research to the actual product and the application development, and tries to solve the technical problems in the design and manufacture of the silicon carbide Schottky diode. The key technologies such as oxidation etching doping metallization and so on are analyzed and the silicon carbide Schottky diode devices are developed and the technical specifications of the devices are good. The device has been used in switching mode power supply such as active power factor correction and motor driver power conversion. It has achieved the requirements of low leakage current, low on-state resistance and good stability at high temperature.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十七研究所;西藏军区77505部队;
【分类号】：TN311.7

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本文编号：2153310