苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得进展

发布时间：2018-08-02 10:14

【摘要】：正由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点,GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用,AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气,浓度可达到1013/cm~2量级,因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。如何实现增强型GaN HEMT一直是该领域研究的难点,目前几种主要用来制备增强型器件的方案包括:p型栅、凹槽栅、F处理和Cascode结构。其中,p型栅的方案已经被很
[Abstract]:Due to the advantages of GaN, such as large band gap, high electron mobility and high breakdown field strength, gan HEMT has become a new generation of power devices. Due to polarization effect, high concentration of two-dimensional electron gas can be formed on the AlGaN / gan heterojunction surface, and the concentration can reach the 1013/cm~2 level. Therefore, the general GaN HEMT is a depleted device. How to realize enhanced GaN HEMT is always a difficult problem in this field. At present, several schemes are mainly used to fabricate enhanced devices, such as: P gate, grooved gate F processing and Cascode structure. Among them, the scheme of type p gate has already been very
【作者单位】： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
【分类号】：TN386

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本文编号：2159109