载流子分布对GaN基LED频率特性的影响（英文）

发布时间：2018-08-07 10:29

【摘要】：分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高。这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础。
[Abstract]:The electrical and optical properties of high power GaN based LED are studied under DC bias and AC bias respectively. The results show that the carrier distribution in the active region can be regulated by changing the in component in the quantum barrier near the p-type layer (that is, the last quantum barrier). The accumulation of electrons in the active region results in negative capacitance effects. By reducing the barrier height of the quantum barrier in the active region, the carrier transmission characteristics in LED can be improved, and the carrier recombination rate and the modulation bandwidth of communication can be increased by 20%. This work will be helpful to understand the influence of carrier distribution on the frequency characteristics of GaN based LED and lay a foundation for the design of high power and high speed LED for visible light communication.
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;中电科电子装备集团有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(11574306) 中国国际科技合作计划(2015AA03A101,2014BAK02B08,2015AA033303)资助项目~~
【分类号】：TN312.8

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