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GaN基紫外探测器读出电路注入效率

发布时间:2018-09-03 14:52
【摘要】:读出电路的注入效率是决定紫外焦平面探测器性能的重要因素。基于Ga N基p-i-n结构日盲紫外探测器以及CTIA结构读出电路的等效模型,对探测器信号读出的电荷注入效率进行了分析,得到了注入效率的表达式。分析了注入效率与积分时间、探测器等效电阻、探测器等效结电容、CTIA电路中运算放大器增益的依赖关系,并指出了放大器增益是有效影响注入效率的重要可控因素之一,可以用提高增益的方法获得更大的注入效率。设计了几种不同增益的运算放大器电路,并分别构成CTIA结构读出电路。采用GF 0.35μm 2P4M标准CMOS工艺设计电路版图并进行流片。将紫外探测器分别连接至具有不同放大器增益的CTIA读出电路并进行测试,通过对比注入效率的理论分析结果与实际测试结果,可以得知,注入效率的理论分析与实验结果吻合较好。
[Abstract]:The injection efficiency of readout circuit is an important factor to determine the performance of UV focal plane detector. Based on the equivalent model of the Ga N-base p-i-n solar blind ultraviolet detector and the CTIA readout circuit, the charge injection efficiency of the detector signal readout is analyzed, and the expression of the injection efficiency is obtained. The dependence between injection efficiency and integral time, detector equivalent resistance, detector equivalent junction capacitance and gain of operational amplifier in CTIA circuit is analyzed. It is pointed out that the gain of amplifier is one of the important controllable factors that affect the injection efficiency effectively. Greater injection efficiency can be achieved by increasing the gain. Several kinds of operational amplifier circuits with different gain are designed, and the readout circuits with CTIA structure are constructed respectively. The circuit layout is designed with GF 0.35 渭 m 2P4M standard CMOS process and the wafer is carried out. The UV detector is connected to the CTIA readout circuit with different amplifier gain and tested. By comparing the theoretical analysis results of injection efficiency with the actual test results, it can be known that, The theoretical analysis of the injection efficiency is in good agreement with the experimental results.
【作者单位】: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院大学;
【基金】:国家自然科学基金(61106097,61204134,11304335) 上海市自然科学基金(16ZR1441300)
【分类号】:TN23

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本文编号:2220296

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