一种0.13μmCMOS K波段LNA

发布时间：2018-09-05 11:23

【摘要】：基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种工作于K波段的低噪声放大器。输入匹配采用一种改良π型匹配网络,输出匹配采用L+π型匹配网络,避免了电容击穿的风险和源端大电感的引入。电路使用级间L型匹配的方式,利用第一级电路的输出寄生电容和第二级电路的输入寄生电容,有效地提高了电路的增益,降低了噪声。仿真结果表明,该低噪声放大电路为单电源1.5 V供电,在27 GHz频率处的增益为27 d B,噪声系数为3.75 d B,输入回波损耗和输出回波损耗分别为-11.1 d B和-20.5 d B。
[Abstract]:Based on 0.13 渭 m CMOS process, a K band low noise amplifier is designed. An improved 蟺 type matching network is used for input matching and L 蟺 matching network for output matching, which avoids the risk of capacitor breakdown and the introduction of large inductance at source. In the circuit, the output parasitic capacitance of the first stage circuit and the input parasitic capacitance of the second stage circuit are used to improve the gain of the circuit and reduce the noise. The simulation results show that the low noise amplifier is supplied by a single power supply of 1.5 V, the gain at 27 GHz frequency is 27 dB, the noise coefficient is 3.75 dB, the input echo loss and output echo loss are -11.1 dB and -20.5 dB, respectively.
【作者单位】： 武汉大学物理科学与技术学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61204096,61404094) 中央高校基本科研资助项目(2042015kf0174,2042014kf0238) 中国博士后科学基金资助项目(2012T50688) 湖北省自然科学基金资助项目(2014CFB694) 江苏省科学基金资助项目(BK20141218)
【分类号】：TN722.3

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