双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真

发布时间：2018-09-07 21:53

【摘要】：采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。
[Abstract]:Two-dimensional device simulation of dual active layer amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors is carried out by using ATLAS of SILVACO software. The electrical properties of the devices with different channel thickness ratios under the structure of bottom gate top contact are studied. When the thickness of IZO is 5 nm and the thickness of IGZO is 35nm, the optimal switching current ratio is about 3.5 脳 10 13 and the sub-threshold swing is 0.36 V / r. On the basis of the thickness ratio, the gap state density of the two-layer material is simulated, and the influence of the two-layer material on the electrical properties of the device is observed by changing the relevant parameters in the state density model.
【作者单位】： 江南大学物联网工程学院;
【基金】：国家自然基金资助项目(60776056)
【分类号】：TN321.5

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本文编号：2229523