基于植球工艺的电路隔离度仿真设计

发布时间：2018-09-12 06:19

【摘要】：用电磁仿真软件HFSS模拟仿真了植球工艺下电路的隔离度。以平行耦合线为基本模型,分别讨论了在耦合线间植一排焊球、在耦合线两侧植焊球、在耦合线间植双排焊球以及密绕耦合线植球四种植球模型下耦合线的隔离度。仿真结果表明耦合线的隔离度主要受球径、球间距的影响,而与焊球重心高度、球中心水平方向小范围偏移以及板间距关系不大。球半径0.4mm,球边缘距离0.5mm,密绕植球模型耦合线隔离度在DC~8.4GHz最好,大于54d B。对于工作在10GHz以下的电路,用第二和第三种植球模型就可以满足电路隔离度性能。为了满足工作频率高达20GHz电路的隔离度,密绕植球模型是最好的选择。
[Abstract]:The isolation degree of the circuit is simulated by electromagnetic simulation software HFSS. Taking the parallel coupling wire as the basic model, the isolation degree of the coupling wire is discussed under the models of a row of solder balls planted between the coupling lines, two rows of soldering balls on both sides of the coupling lines, and four planting balls of the dense coiled coupling wires on the two sides of the coupling lines. The simulation results show that the isolation of the coupling line is mainly affected by the ball diameter and the ball spacing, but not by the height of the center of gravity of the welded ball, the small offset of the horizontal direction of the ball center and the plate spacing. The spherical radius is 0.4mm, the distance of the ball edge is 0.5mm, and the coupling line isolation of the close-wound spherical model is the best in DC~8.4GHz, which is greater than 54dB. For circuits operating below 10GHz, the isolation performance of the circuits can be satisfied by using the second and third implant ball models. In order to satisfy the isolation of 20GHz circuits with high operating frequency, the best choice is the close-wound sphere model.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第三十六研究所;
【分类号】：TN405

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本文编号：2238159