As掺杂p型碲镉汞材料的研究进展

发布时间：2018-09-13 06:34

【摘要】：非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及在器件方面最新研究进展,为今后As掺杂碲镉汞材料的研究提供依据。
[Abstract]:Non-intrinsic p-doped HgCdTe materials can effectively overcome the problems of low minority carrier lifetime and improve the performance of long and very long wave infrared focal plane devices. In this paper, the basic principle of As doping for p-type doping and the latest research progress in devices are described, which provides a basis for the research of HgCdTe doped with As in the future.
【作者单位】： 华北光电技术研究所;
【分类号】：TN215

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本文编号：2240367