PDSOI工艺下单粒子瞬态脉冲宽度分析

发布时间：2018-09-16 21:56

【摘要】：单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一。针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计算了反相器中产生的单粒子瞬态脉冲宽度,仿真了产生的单粒子瞬态脉冲在反相器链中传播时的临界脉冲宽度和传输率随级数变化情况。仿真结果表明,单粒子瞬态脉冲宽度的大小在几十皮秒到几百皮秒之间,反相器链的级数对临界脉冲宽度和传输率影响较大。最后仿真得到在输入单粒子瞬态脉冲宽度较小时,建立保持时间与输入脉冲宽度有关。该结果有利于电气掩蔽建模和锁存掩蔽建模准确性的提高。
[Abstract]:The single particle transient pulse width is one of the important parameters to evaluate the soft error rate of electronic system. The transient pulse width of a single particle in a 0.13 渭 m partially depleted insulator with silicon (PDSOI) process is calculated analytically. The critical pulse width and transmission rate of the single particle transient pulse propagating in the inverter chain are simulated. The simulation results show that the single particle transient pulse width ranges from several tens of picoseconds to several hundred picoseconds, and the series of the inverter chain have great influence on the critical pulse width and transmission rate. The simulation results show that the transient pulse width of the input single particle is small, and the establishment retention time is related to the input pulse width. The results are helpful to improve the accuracy of electrical masking modeling and latch masking modeling.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(面上项目、重点项目、重大项目)(61176095;61404169)
【分类号】：TN78

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本文编号：2244937