16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
发布时间：2018-09-19 10:31
【摘要】：信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。
[Abstract]:The problem of signal electromigration has been paid more and more attention in advanced process nodes. Through a SoC chip based on 16 nm TSMC process, the difference between Innovus and Voltus in signal electromigration analysis is analyzed. Through the analysis of the cause of formation, the problem of Innovus is solved, and most of the signal electromigration problems are solved in the layout and wiring stage, and the convergence time of the back-end design is shortened greatly.
【作者单位】： 英伟达半导体科技(上海)有限公司北京分公司;
【分类号】：TN386
本文编号：2249880
[Abstract]:The problem of signal electromigration has been paid more and more attention in advanced process nodes. Through a SoC chip based on 16 nm TSMC process, the difference between Innovus and Voltus in signal electromigration analysis is analyzed. Through the analysis of the cause of formation, the problem of Innovus is solved, and most of the signal electromigration problems are solved in the layout and wiring stage, and the convergence time of the back-end design is shortened greatly.
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