一种新型双频段可变增益低噪声放大器

发布时间：2018-10-08 18:20

【摘要】：采用SMIC 0.13μm RF CMOS工艺,设计了一款新型的双频段可变增益低噪声放大器(DBVG-LNA),应用于GSM900/DCS1800双频网络通讯系统中.分别采用多谐振网络和开关谐振网络完成输入输出双频段阻抗匹配,采用共栅旁路管和开关切换电阻完成4挡可调增益,有效地解决变频段和变增益兼容难的问题.另外,采用共源共栅差分对结构获取高隔离度和低二次谐波失真.1.2V电源电压,版图面积为0.43μm×0.65μm.仿真结果表明,在GSM900频段电压增益20.6~12.7dB 4挡可调,NF:1.45~2.05dB;在DCS1800频段电压增益19.3~11.2dB 4挡可调,NF:1.36~2.55dB;S_(11)均小于-17dB.
[Abstract]:A novel dual-band variable gain low-noise amplifier (DBVG-LNA) is designed by using SMIC 0.13 渭 m RF CMOS process, which is applied to the GSM900/DCS1800 dual-frequency network communication system. The multi-resonance network and the switching resonant network are used to complete the impedance matching in the input and output bands respectively. The four shift adjustable gain is achieved by using the common-gate bypass tube and the switching resistor. The problem of the compatibility between the variable gain and the variable gain is effectively solved. In addition, the power supply voltage of high isolation and low second harmonic distortion of 1.2V is obtained by using the common source common-grid differential. The layout area is 0.43 渭 m 脳 0.65 渭 m. The simulation results show that the voltage gain 20.6~12.7dB _ 4 can be adjusted in the GSM900 band and the voltage gain 19.3~11.2dB _ 4 in the DCS1800 band is less than -17 dB.
【作者单位】： 湖南大学物理与微电子科学学院;
【基金】：湖南省科技计划项目(2014FJ1003) The Planned Science and Technology Project of Hunan Province(2014FJ1003)
【分类号】：TN722.3

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本文编号：2257797