硅量子点在光电器件中的应用研究进展
[Abstract]:The size of silicon quantum dots (Si QDs) is generally less than 10 nm. Due to the quantum limiting effect and surface effect, silicon quantum dots exhibit different electronic and optical properties from bulk silicon materials. Therefore, silicon quantum dots have attracted much attention. In recent years, silicon quantum dots (QDs) have been applied to the field of optoelectronic devices due to their novel photoelectric properties, and a series of research advances have been made. The electronic and optical properties of silicon quantum dots are summarized in this paper. The research progress of silicon quantum dots in luminescent devices, solar cells and photodetectors at home and abroad is introduced in detail. The properties of different types of silicon quantum dots are analyzed. It is considered that silicon quantum dots can play an important role in the future photovoltaic device innovation through unremitting research.
【作者单位】： 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(61222404) 国家973计划(2013CB632101)
【分类号】：TN304;TN312.8;TM914.4
【参考文献】
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【共引文献】
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【二级参考文献】
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本文编号：2266295
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