IGBT模块的瞬态热特性及其退化研究

发布时间：2018-10-12 11:34

【摘要】：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在工作过程中由于电流、热量和应力的冲击,各层材料会不断退化,通过建立阻容热网络可以得到模块的整体退化参数。首先对瞬态过程降温与升温过程热量传递进行理论推导,比较其优劣性。然后通过对各阶网络模型进行对比,在不失精度的情况下,选用最简模型。最后对老化过程中的模块进行退化分析。
[Abstract]:Because of the impact of current, heat and stress, the materials of each layer will degenerate continuously during the operation of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The whole degradation parameters of the module can be obtained by establishing the resistive and capacitive heat network. Firstly, the heat transfer of transient cooling and heating process is theoretically deduced, and its advantages and disadvantages are compared. Then, through the comparison of each order network model, the simplest model is selected without losing the precision. Finally, the degradation analysis of the module in the aging process is carried out.
【作者单位】： 河北工业大学电气工程学院;
【基金】：国家科技支撑计划(2015BAA09B01)~~
【分类号】：TN322.8

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2265951