影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究

发布时间：2018-10-23 13:36

【摘要】：本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向电流进一步增加而逐渐趋于饱和;随着量子阱中In组分和量子阱阱层厚度的增加,发光光谱出现红移现象,并且发光效率下降。仿真结果对GaN基InGaN/GaN量子阱结构蓝光LED的设计和优化提供一定的依据。
[Abstract]:In this paper, the spectral characteristics of GaN based InGaN/GaN quantum well blue light emitting diodes (LED) are simulated by Silvaco TCAD software. The results show that the spectrum will blue shift with the increase of the injection voltage, and the UV luminescence peak at 0.365 渭 m will appear, and the luminescence efficiency will increase rapidly when the forward current is small, and gradually become saturated with the further increase of the forward current. With the increase of the In component and the thickness of the quantum well layer, the luminescence spectrum appears red-shift phenomenon and the luminescence efficiency decreases. The simulation results provide some basis for the design and optimization of blue-light LED based on GaN InGaN/GaN quantum well structure.
【作者单位】： 四川大学物理科学与技术学院;微电子技术四川省重点实验室;
【分类号】：TN312.8

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本文编号：2289417