一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT

发布时间：2018-10-23 18:33

【摘要】：提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm~2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。
[Abstract]:A novel field cut-off insulated gate transistor (FS-IGBT) with floating P buried layer at the anode is proposed. Combined with the idea of over-junction and anodic short-circuit, the breakdown voltage of the new structure is increased by 13.9% compared with the traditional FS-IGBT under the same simulation conditions. When the on-state current density is 150A / cm ~ 2, the optimized voltage drop increment of the new structure is less than 9, the turn-off time is more than 60% lower than that of the traditional structure, and there is no negative resistance in the operation, so a good compromise between the on-voltage drop and the turn-off power consumption is achieved.
【作者单位】： 南京邮电大学电子科学与工程学院;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274080) 中国博士后科学基金资助项目(2013M541585)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2290123