小尺寸栅极HEMT器件结温测量

发布时间：2018-10-24 18:00

【摘要】：用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法。结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度。通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对Al GaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据。
[Abstract]:The junction temperature of GaN based HEMT device measured by the existing infrared method is lower than that of the actual maximum temperature point. However, the measurement of junction temperature by Raman method requires high equipment and is difficult to operate. A matching circuit for GaN based HEMT devices is designed in view of the difficulties of the existing techniques in measuring the junction temperature of HEMT devices. An infrared thermal imager is used to measure the junction temperature rise of HEMT devices. Combined with physical numerical simulation, a small scale gate junction temperature rise measurement method is proposed. The results show that the temperature in the range of grid length can be obtained by establishing the correct simulation model. This method can be used to measure the junction temperature which is closer to the actual value, which lays a theoretical foundation for the study of the influence of loading power and shell temperature on the thermal resistance of Al GaN/GaN HEMT devices, and provides a reference basis for the study of the thermal characteristics of Al GaN/GaN HEMT devices in practice.
【作者单位】： 中国电子技术标准化研究院;北京工业大学微电子学院;
【基金】：核心电子器件评价和检测技术资助项目(2012ZX01022002)
【分类号】：TN386

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