一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺

发布时间：2018-10-31 11:57

【摘要】：针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81V、电容密度为0.394fF/μm~2的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。
[Abstract]:In order to solve the problems of low capacitance density and poor interface characteristics of traditional silicon dioxide and silicon nitride dielectric materials, the nitrogen ion implantation and nitrogen silicon oxidation experiments were carried out. A process of nitrogen injection and oxidation was successfully developed to produce silicon nitrogen oxide dielectric material. By using this process, a high density MOS capacitor with a dielectric constant of 5.51, a breakdown voltage of 81 V and a capacitance density of 0.394fF/ 渭 m ~ (2) has been developed, which is compatible with the 36 V bipolar process, and the dielectric constant is 5.51, the breakdown voltage is 81 V, and the capacitance density is 0.394fF/ 渭 m ~ (2). Compared with the conventional integrated silicon dioxide / silicon nitride composite dielectric capacitors, the capacitance density is increased by 35.86. The process can also be used to fabricate the gate dielectric of high power MOSFET and improve the reliability of the device.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第二十四研究所;模拟集成电路重点实验室;
【分类号】：TN386

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2302091