逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现

发布时间：2018-10-31 11:56

【摘要】：逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。
[Abstract]:(RC Trench FS IGBT) is a new type of power semiconductor device with low cost, small volume and high reliability. A 1 200V inverse conductivity groove FS IGBT. is designed and implemented. The special backsweep phenomenon of inverse conductance insulated gate transistor (RC IGBT) and how to eliminate the backsweep phenomenon in structural design are studied. Secondly, the switching characteristics of RC IGBT under different carrier life are studied. Simulation of reverse recovery characteristics. The results show that with the decrease of carrier lifetime, the switching time and reverse recovery characteristics are improved to some extent. The flow sheet is carried out according to the optimum design of the device. The experimental results verify the effects of different designs on the current backsweep phenomenon, as well as the variation of the on-on and reverse recovery characteristics under different minority carrier lifetimes. The performance of the device is optimized.
【作者单位】： 北京大学软件与微电子学院;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61404023) 国家科技重大专项资助项目(2011ZX02504-001,2011ZX02504-003) 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201301)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2302088