SiC电力电子器件研究现状及新进展

发布时间：2018-10-31 14:11

【摘要】：由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展。概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望。
[Abstract]:Because of the limitation of silicon material, the performance of traditional silicon power electronic devices is close to its limit. The advantages of silicon carbide (SiC) devices such as high power, high efficiency, high temperature resistance, radiation resistance, etc. It has become a new development direction of power electronic devices. The research status of SiC materials, SiC power electronic devices, SiC modules and key processes are reviewed. The SiC diodes and metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET),) are described in detail from the aspects of material, device structure and fabrication process. Progress in Research on (IGBT) and Modules of (BJT), Insulated Gate Bipolar transistors with crystallized Field effect transistors (JFET), bipolar transistors and bipolar transistors. The commercialization of SiC materials, SiC power electronic devices and modules is summarized. Finally, the development trend of SiC materials and devices is prospected.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN303

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