氮化镓体单晶生长的进展

发布时间：2018-11-02 11:43

【摘要】：主要讨论了3种氮化镓(GaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法。首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离和掺杂等。比较了3种方法的生长机制。其次,通过纳米压痕仪和高空间分辨表面光电压谱两种方法研究了体单晶中位错的力学行为。最后,介绍了GaN体单晶衬底在器件方面的应用。
[Abstract]:Three kinds of single crystal growth techniques of gallium nitride (GaN) were discussed, including hydride vapor phase epitaxy (HVPE),) flux method and ammonia heat method. The progress in the preparation of GaN bulk single crystals by HVPE, including the reduction of dislocations, the control of strain, the separation and doping of substrates, etc. The growth mechanism of the three methods was compared. Secondly, the mechanical behavior of dislocations in bulk single crystals was studied by nano-indentation instrument and high-resolution surface photovoltage spectroscopy. Finally, the applications of GaN bulk single crystal substrates in devices are introduced.
【作者单位】： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(61325022,11435010)~~
【分类号】：TN304

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本文编号：2305915