中高压SiC IGBT智能栅极驱动研究及应用

发布时间：2018-11-02 19:35

【摘要】：提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能。采用15 kV中压SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件设计双脉冲测试平台进行对比传统电压源型驱动的实验,测试结果显示所提电流源型驱动在有效降低损耗的情况下,兼顾改善电流变化率,并具备快速关断和降低保护响应时间的优势。
[Abstract]:This paper presents an active medium voltage gate drive circuit with current source type intelligent anti-electromagnetic interference (EMI). The drive circuit is designed by the integration of traditional drive chip, which can not only provide advanced gate drive. And has the isolation protection and the condition monitoring function. A 15 kV medium voltage SiC insulated gate bipolar transistor (IGBT) device is used to design a dual pulse test platform to compare with the traditional voltage source drive. The test results show that the proposed current source drive can effectively reduce the loss. At the same time, it can improve the rate of current change, and has the advantages of fast turn-off and reducing the response time of protection.
【作者单位】： 南京信息职业技术学院;武汉华辰智算信息技术研究院;
【基金】：国家自然科学基金(U1510128,51177067,5060-7007)~~
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2306756