硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器

发布时间：2018-11-09 14:11

【摘要】：基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统(micro-electro-mechanical-systems,MEMS)加工工艺,并结合耦合系数设计方法,选用终端开路式交指结构,实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤波器工艺加工流程,并基于高阻硅衬底成功实现了滤波器的制造和测试.测试结果表明,所制造的滤波器中心频率为3.96GHz,频率误差为2.6%,通带内插入损耗约4dB,驻波比小于1.2,相对带宽为20.7%,器件整体尺寸为7.0mm×7.8mm×0.8mm,器件质量小于0.1g,具有尺寸小、重量轻、性能高、造价低、可批量生产、易于单片集成等显著优点,适应了微波毫米波电路对于滤波器件小型化、轻质化、集成化发展的应用要求.
[Abstract]:Based on the fabrication process of micro-electromechanical system (micro-electro-mechanical-systems,MEMS) such as deep reactive ion etching, surface metallization, hot pressing gold-gold bonding and coupling coefficient design, the open circuit interDigital structure is selected. A self-shielded MEMS bandpass filter applied in C-band is implemented. The process flow of the new filter is developed, and the fabrication and testing of the filter based on high resistance silicon substrate are successfully realized. The test results show that the center frequency of the filter is 3.96 GHz, the frequency error is 2.6, the insertion loss in pass band is about 4 dB, the VSWR is less than 1.2, the relative bandwidth is 20.7mm, the overall size of the device is 7.0mm 脳 7.8mm 脳 0.8mm. The device has the advantages of small size, light weight, high performance, low cost, batch production, easy to integrate with single chip and so on. It adapts to the miniaturization and lightness of microwave millimeter wave circuit for filter parts. Application requirements of integrated development.
【作者单位】： 北京理工大学信息与电子学院;
【基金】：北京理工大学基础研究基金资助项目(20130542015)
【分类号】：TN713.5

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本文编号：2320643