2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究

发布时间：2018-11-17 06:46

【摘要】：2.5D集成技术(转接层技术)可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔(TSV)的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1GHz时,回波损耗S_(11)为-24.7dB,插入损耗S_(21)为-0.52dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型,与电磁仿真结果对比,具有较好的一致性,可以实现在0.1~10GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真,结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响,但是寄生电容的影响相对较小.
[Abstract]:2.5D integrated technology (transfer layer technology) can realize heterogeneous integration between different chips. The switching layer based on low through hole (TSV) takes advantage of the good conductivity of low resistance silicon, and can replace copper based silicon through hole, and has a simple process. The advantage of low cost. In this paper, the electromagnetic simulation of the through hole of low resistance silicon is carried out. When 1GHz, the return loss S11 is -24.7 dB, and the insertion loss S21 is-0.52dB to meet the requirement of transmission line. An equivalent circuit model is proposed, which is consistent with the results of electromagnetic simulation and can be applied in 0.1~10GHz bandwidth. Finally, the TDT/TDR and eye diagram simulation of the low resistance silicon through hole are carried out. The results show that although the resistance of the low resistance silicon through hole has a great influence on the voltage drop, the parasitic capacitance has relatively little effect on the voltage drop.
【作者单位】： 北京理工大学光电学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61404008,61574016) “111”引智计划资助项目(B14010) 北京理工大学基础研究基金资助项目(20130542015)
【分类号】：TN402

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本文编号：2336821