图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究

发布时间：2018-11-22 10:59

【摘要】：为了减小场发射的屏蔽效应,采用图形化技术对氧化锌(ZnO)纳米枝阵列进行调控,并研究图形化ZnO枝阵列的性能。首先采用光刻法在ITO导电玻璃上制备图形化ZnO种子层,再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等,并测试其场发射性能。研究结果表明,制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列,直径为330μm左右,纳米ZnO主干平均直径为400~500nm,发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构,并且具有良好的场发射性能,开启场强为2.15V/μm,场增强因子为16 109。该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法,在场发射应用领域表现出较好的前景。
[Abstract]:In order to reduce the shielding effect of field emission, a graphical technique was used to regulate the ZnO (ZnO) nanowire array and the performance of the graphical ZnO branch array was studied. Firstly, the graphed ZnO seed layer was prepared on ITO conductive glass by photolithography, and then the ZnO nano-branch array was grown on the graphed seed layer by electrodeposition. The morphologies, structures and field emission properties of graphical ZnO arrays prepared by scanning electron microscope (SEM) (SEM), X ray diffraction (XRD) were investigated. The results show that the patterned ZnO nanowires are circular arrays with a diameter of about 330 渭 m and an average diameter of 400 ~ 500nm. some fine cone-like nanocrystalline branchlets are found on the backbone. The field intensity is 2.15V/ 渭 m and the field enhancement factor is 16 109. The method of graphically growing ZnO array cathodes is a good method to improve the field emission performance of materials, and the field emission application field shows a good prospect.
【作者单位】： 福州大学物理与信息工程学院;
【基金】：福建省自然科学基金(No.2014J01236) 福建省科技重大专项(No.2014HZ0003-1) 福建省资助省属高校专项课题(No.JK2014003)~~
【分类号】：TN304.21

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本文编号：2349142