电路拓扑对并联大功率IGBT模块影响的研究

发布时间：2018-11-25 08:46

【摘要】：为了增大单变流器的输出电流和功率密度,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块往往被并联使用。实际使用过程中电路拓扑结构的不对称对并联模块的均流特性有非常大的影响。研究了电路拓扑结构对并联模块动静态特性的影响,通过不同结构布局的对比,分析了其对并联IGBT功率模块动静态特性的影响。最后提出了在并联IGBT模块的输出端采用耦合电感来实现动静态均流的方法,与采用单独电感相比,实验验证了此方法对并联IGBT功率模块的动静态均流具有明显的优越性。
[Abstract]:In order to increase the output current and power density of single converter, insulated gate bipolar transistor (IGBT) power modules are often used in parallel. The asymmetry of circuit topology has great influence on the current sharing characteristics of parallel modules. The influence of circuit topology on the dynamic and static characteristics of parallel IGBT power modules is studied. Through the comparison of different configurations, the influence of topology on the dynamic and static characteristics of parallel IGBT power modules is analyzed. Finally, a method of using coupling inductors to realize static and dynamic current sharing at the output of parallel IGBT module is proposed. Compared with the single inductor, the method is proved to be superior to the static and static current sharing of parallel IGBT power modules.
【作者单位】： 中国矿业大学电气与动力工程学院;
【分类号】：TM46;TN322.8

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本文编号：2355500