当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究

发布时间:2018-12-10 13:50
【摘要】:有机发光场效应晶体管(organic light-emitting transistors, OLETs)同时具备有机场效应晶体管(organic field effect transistors, OFETs)的电路调制功能,以及有机发光二极管(organic light-emitting diode, OLEDs)的发光功能,在平板显示、光通讯、固体照明、以及电泵浦有机激光器等领域存在着巨大的应用价值。高性能的OLETs要求器件不仅具有高迁移率,还要求空穴和电子的迁移率达到平衡。异质结结构的OLETs的半导体层由N型材料和P型材料组成,通过对两种材料的调整,可以有效平衡两种载流子的迁移率。本文对双层异质结结构的OLETs进行了研究。首先,为了给双层异质结结构的OLETs的制备作好准备,本文分别制备了基于N型材料P13和基于P型材料DH6T的单层OFET器件,并对它们的性能进行了优化。紧接着,本文制备了基于P13/DH6TPN结的OLETs,当在P13层和DH6T层的厚度分别为28nm和25nm的器件的有机层和源/漏电极间插入一层Mo03以修饰Au电极后,成功提高了空穴的迁移率,制备出了具有平衡的空穴和电子迁移率的OLETs.在对该器件进行测试时,成功观测到了在空气中稳定持续的发光现象。另外,本文也制备并研究了基于P13/Pentacene PN异质结的OLETs,得到的器件性能良好,在器件使用Ag电极时我们在电极附近拍摄到了明亮的绿色光。此外,本文成功地将双层有机绝缘层PMMA交联PVP引入到基于P13/DH6T PN结的OLETs中。该有机绝缘层能够有效提高器件的性能,而且,它的在OLETs中的成功应用也为柔性OLETs的制备奠定了基础。另外,文章还对如何提高该绝缘层的耐高压性能进行了探究。
[Abstract]:The organic light-emitting field effect transistor (organic light-emitting transistors, OLETs) has the circuit modulation function of (organic field effect transistors, OFETs) and the light-emitting diode (organic light-emitting diode, OLEDs) of the organic light-emitting diode (organic light-emitting diode, OLEDs), which is displayed on the flat panel. Optical communication, solid state lighting and electrically pumped organic lasers have great application value. High performance OLETs requires not only high mobility, but also a balance between hole and electron mobility. The semiconductor layer of OLETs with heterojunction structure is composed of N-type material and P-type material. By adjusting the two materials, the mobility of the two carriers can be effectively balanced. In this paper, the OLETs of double layer heterojunction structure is studied. Firstly, in order to prepare the preparation of double-layer heterojunction OLETs, single-layer OFET devices based on N-type P13 and P-type DH6T were fabricated, and their properties were optimized. Then, OLETs, based on P13/DH6TPN junction was prepared. When a layer of Mo03 was inserted between the organic layer of P13 layer and the 28nm layer of DH6T layer and the source / leakage electrode to modify the Au electrode, the hole mobility was improved successfully. OLETs. with equilibrium hole and electron mobility was prepared. The stable and persistent luminescence in the air was observed successfully when the device was tested. In addition, the performance of OLETs, based on P13/Pentacene PN heterojunction is also investigated. When the Ag electrode is used, we get bright green light near the electrode. In addition, PMMA crosslinked PVP with double layer organic insulating layer is successfully introduced into OLETs based on P13/DH6T PN junction. The organic insulation layer can effectively improve the performance of the device, and its successful application in OLETs also lays a foundation for the preparation of flexible OLETs. In addition, how to improve the high-voltage resistance of the insulating layer is also discussed.
【学位授予单位】:南京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TN386

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 李东仓;王鹏;陈金伙;胡加兴;张福甲;;并三苯场效应晶体管的研制[J];功能材料与器件学报;2006年02期

2 刘玉荣;李渊文;刘汉华;;聚合物薄膜场效应晶体管研究进展[J];现代显示;2006年05期

3 刘玉荣;李渊文;刘汉华;;聚合物薄膜场效应晶体管研究进展[J];现代显示;2006年07期

4 ;书屋[J];机电产品市场;2007年06期

5 David Lammers;;镧掺杂可能会推进硅场效应晶体管[J];集成电路应用;2009年05期

6 杨军;蒋开明;葛传楠;张俊男;;自旋场效应晶体管的原理和研究进展[J];物理与工程;2009年04期

7 温振超;韩秀峰;;基于磁性隧道结技术的新型准自旋场效应晶体管[J];物理;2010年05期

8 颜玉珍;;自旋场效应晶体管中极化输运特性研究[J];嘉应学院学报;2010年08期

9 ;首个高温自旋场效应晶体管问世[J];光机电信息;2011年01期

10 W.C.布朗克;A.范德赛尔;行军;;结栅场效应晶体管的热噪声[J];半导体情报;1972年03期

相关会议论文 前10条

1 陈永真;;新型高耐压大功率场效应晶体管[A];新世纪 新机遇 新挑战——知识创新和高新技术产业发展(上册)[C];2001年

2 陶春兰;董茂军;张旭辉;张福甲;;并五苯场效应晶体管的研制[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)[C];2007年

3 张亚杰;汤庆鑫;胡文平;李洪祥;;有机-无机复合单晶场效应晶体管[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年

4 黄学斌;朱春莉;郭云龙;张仕明;刘云圻;占肖卫;;卟啉-三并噻吩共轭聚合物的合成及其场效应晶体管特性[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年

5 赵广耀;董焕丽;江浪;赵华平;覃翔;胡文平;;并五苯类似物单晶场效应晶体管及其在乙醇气体探测中的应用[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年

6 张亚杰;董焕丽;胡文平;;基于酞菁铜有机单晶微纳米带的双极性场效应晶体管及化学传感器[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

7 温雨耕;狄重安;吴卫平;郭云龙;孙向南;张磊;于贵;刘云圻;;硫醇修饰对N-型傒酰亚胺场效应晶体管性能的影响[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

8 刘南柳;周焱;彭俊彪;裴坚;王坚;;提拉法制备图案化有机纳米线场效应晶体管[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

9 于海波;田孝军;于鹏;董再励;;碳纳米管场效应晶体管的自动化装配方法研究[A];2008’“先进集成技术”院士论坛暨第二届仪表、自动化与先进集成技术大会论文集[C];2008年

10 吕琨;狄重安;刘云圻;于贵;邱文丰;;基于并三噻吩共聚物的空气稳定的OFET研究[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年

相关重要报纸文章 前7条

1 记者 刘霞;美研制出新式超导场效应晶体管[N];科技日报;2011年

2 刘霞;隧道场效应晶体管可为计算机节能99%[N];科技日报;2011年

3 记者 吴长锋 通讯员 杨保国;我科学家成功制备二维黑磷场效应晶体管[N];科技日报;2014年

4 湖南 黄金贵 编译;场效应晶体管传感器的偏置点电路[N];电子报;2013年

5 成都 史为 编译;场效应晶体管和晶体三极管[N];电子报;2013年

6 张弛;芯片巨头合力研究“零待机”芯片[N];网络世界;2011年

7 刘霞;英美研发出首个高温自旋场效应晶体管[N];科技日报;2010年

相关博士学位论文 前10条

1 肖永光;铁电场效应晶体管的保持性能与负电容效应研究[D];湘潭大学;2013年

2 刘林盛;场效应晶体管的大信号模型研究[D];电子科技大学;2011年

3 刘一阳;并五苯类有机小分子场效应晶体管材料的合成与器件制备[D];兰州大学;2010年

4 塔力哈尔·夏依木拉提;酞菁铜单晶微纳场效应晶体管在气体传感器中的应用基础研究[D];东北师范大学;2013年

5 陶春兰;并五苯性质的研究及其场效应晶体管的研制[D];兰州大学;2009年

6 蔡彬;新型氧化锡微纳单晶场效应晶体管的设计及其在气体传感领域中的应用[D];东北师范大学;2014年

7 王伟;有机薄膜场效应晶体管、发光和显示驱动[D];吉林大学;2006年

8 焦广泛;隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性研究[D];复旦大学;2012年

9 杨茹;垂直沟道偶载场效应晶体管(VDCFET)的研究[D];北京师范大学;2004年

10 李建丰;有机功能材料蒽偶低聚物的合成及其场效应晶体管的研究[D];兰州大学;2009年



本文编号:2370684

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2370684.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户e10a9***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com