双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究
[Abstract]:The organic light-emitting field effect transistor (organic light-emitting transistors, OLETs) has the circuit modulation function of (organic field effect transistors, OFETs) and the light-emitting diode (organic light-emitting diode, OLEDs) of the organic light-emitting diode (organic light-emitting diode, OLEDs), which is displayed on the flat panel. Optical communication, solid state lighting and electrically pumped organic lasers have great application value. High performance OLETs requires not only high mobility, but also a balance between hole and electron mobility. The semiconductor layer of OLETs with heterojunction structure is composed of N-type material and P-type material. By adjusting the two materials, the mobility of the two carriers can be effectively balanced. In this paper, the OLETs of double layer heterojunction structure is studied. Firstly, in order to prepare the preparation of double-layer heterojunction OLETs, single-layer OFET devices based on N-type P13 and P-type DH6T were fabricated, and their properties were optimized. Then, OLETs, based on P13/DH6TPN junction was prepared. When a layer of Mo03 was inserted between the organic layer of P13 layer and the 28nm layer of DH6T layer and the source / leakage electrode to modify the Au electrode, the hole mobility was improved successfully. OLETs. with equilibrium hole and electron mobility was prepared. The stable and persistent luminescence in the air was observed successfully when the device was tested. In addition, the performance of OLETs, based on P13/Pentacene PN heterojunction is also investigated. When the Ag electrode is used, we get bright green light near the electrode. In addition, PMMA crosslinked PVP with double layer organic insulating layer is successfully introduced into OLETs based on P13/DH6T PN junction. The organic insulation layer can effectively improve the performance of the device, and its successful application in OLETs also lays a foundation for the preparation of flexible OLETs. In addition, how to improve the high-voltage resistance of the insulating layer is also discussed.
【学位授予单位】:南京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TN386
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,本文编号:2370684
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