当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

考虑老化进程对热参数影响的IGBT模块寿命评估

发布时间:2018-12-11 21:43
【摘要】:绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块是风电转换系统中最为薄弱的环节之一,其准确的寿命和可靠性评估对风电系统安全运行尤其重要。然而,目前IGBT模块寿命评估模型主要采用基于数据手册的瞬态热阻曲线或者试验测试初始结果的热模型,并未考虑IGBT模块老化过程对热参数的影响。该文提出考虑老化进程对热参数影响的IGBT模块寿命评估模型,该模型能够计及老化过程中因热参数增大而带来的热载荷上升和寿命减小,提高了寿命评估的准确性。首先,理论和试验分析了老化进程对热参数的影响规律,提出了考虑老化进程影响的IGBT模块寿命评估模型;其次,对比分析了该模型与现有常用寿命模型之间的差异;最后以实际风电场为例,进一步分析了不同时间尺度下考虑老化影响的模块寿命消耗。
[Abstract]:The insulated gate bipolar transistor (insulated gate bipolar transistor,IGBT) module is one of the weakest links in the wind power conversion system, and its accurate life and reliability evaluation is particularly important for the safe operation of the wind power system. However, the current IGBT module life evaluation model mainly uses the transient thermal resistance curve based on the data manual or the thermal model of the initial test results, and does not consider the influence of the aging process of the IGBT module on the thermal parameters. In this paper, a life evaluation model of IGBT module considering the influence of aging process on thermal parameters is proposed. The model can take into account the increase of thermal load and the decrease of life due to the increase of thermal parameters during aging, and improve the accuracy of life evaluation. Firstly, the influence of aging process on thermal parameters is analyzed theoretically and experimentally, and the life evaluation model of IGBT module considering the influence of aging process is put forward, secondly, the difference between this model and existing life models is compared and analyzed. Finally, taking the actual wind farm as an example, the module life consumption considering the influence of aging in different time scales is further analyzed.
【作者单位】: 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学);
【基金】:国家自然科学基金资助项目(51477019) 国家重点基础研究发展计划项目(973项目)(2012CB25200) 中央高校基本科研业务费项目(106112015CDJXY150004)~~
【分类号】:TN322.8

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 M.Buschkühle;C.Messelke;;IGBT模块的并联从最坏情况模拟到完全统计方法[J];电子产品世界;2008年09期

2 N.沃马罗;M.奥苏基;Y.霍希;S.约希沃塔里;T.米耶塞凯;Y.西基;花蕾;;1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管[J];电力电子;2004年04期

3 Jussi Karttunen;Samuli Kallio;Pertti Silventoinen;郑鹏洲;;多芯片IGBT模块实时热模型的应用[J];电力电子;2012年04期

4 江兴;;IGBT芯片和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展[J];半导体信息;2012年02期

5 乔冠梁;丁远翔;丁学文;;IGBT模块的一种驱动设计[J];国外电子元器件;2007年10期

6 汤姆·亚当斯;;IGBT模块焊锡厚度均匀性的检测[J];电力电子;2013年02期

7 孙国印;IGBT模块应用中过电压的抑制[J];电力电子技术;2002年04期

8 宫崎裕二;村\『陫;日吉道明;;适合中高频应用的NFM系列IGBT模块[J];电力电子技术;2006年04期

9 翟超;郭清;盛况;;IGBT模块封装热应力研究[J];机电工程;2013年09期

10 吴武臣,张华,董利民,M.Held,P.Scacco,P.Jacob;大功率半桥IGBT模块的锁定效应研究[J];半导体技术;1997年06期

相关会议论文 前2条

1 刘荡波;;IGBT模块及其应用[A];中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年

2 刘荡波;张立;张歧宁;王晓宝;;IGBT模块及其应用[A];展望新世纪——’02学术年会论文集[C];2002年

相关硕士学位论文 前2条

1 秦星;风电变流器IGBT模块结温计算及功率循环能力评估[D];重庆大学;2014年

2 王彦刚;IGBT模块热行为及可靠性研究[D];北京工业大学;2000年



本文编号:2373270

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2373270.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户28811***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com