沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型

发布时间：2018-12-15 18:39

【摘要】：沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特点及模型坐标系的分析,考虑载流子二维效应将基区分成PNP和PIN两部分,根据PIN部分的沟槽栅能否被PNP部分的耗尽层覆盖分析了栅极结电容计算方法,提出一种沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型,并进行仿真与实验验证。
[Abstract]:The groove gate field termination represents the latest structure of the insulated gate bipolar transistor (IGBT). Due to the large differences between the groove gate structure and the planar gate structure in the carrier transport in the base region and the calculation of the gate junction capacitance, it is inevitable that there will be a big deviation in the modeling method using the planar gate structure. Based on the analysis of the characteristics of the grooved gate field terminating IGBT structure and the model coordinate system, the basis is divided into two parts, PNP and PIN, considering the two-dimensional carrier effect. According to whether the groove gate of PIN can be covered by the depletion layer of PNP part, the calculation method of gate junction capacitance is analyzed, and a transient mathematical model of IGBT with groove gate field termination is proposed, and the simulation and experimental results are carried out.
【作者单位】： 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金重大项目(51490681);国家自然科学基金青年项目(51507185)资助 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004)
【分类号】：TN322.8

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2381105