多晶硅铸锭炉加热器功率分配对晶体品质的影响

发布时间：2018-12-18 21:22

【摘要】：通过计算机仿真模拟方法针对不同的顶侧加热器电阻比值进行建模,研究其对晶体生长过程的影响,结合生产实验来确定最佳电阻比值,与优化过的铸锭工艺进行搭配,最终获得了稳定的较平微凸的固液界面,在长晶过程中能够很好地抑制坩埚侧壁形核,得到垂直的柱状晶结构,并有利于维持优势晶向和随机晶界的比例。此外,本项目通过对顶侧加热器电阻比值的调整,改善了熔体流动模式,有利于杂质向硅锭边部及外部输运,减少了杂质对多晶硅晶体品质的负面影响。
[Abstract]:Through computer simulation method, the resistance ratio of different top side heaters is modeled, and the influence on the crystal growth process is studied. The optimum resistance ratio is determined by combining with the production experiment, which is matched with the optimized ingot technology. Finally, a stable, flat, slightly convex solid-liquid interface is obtained, which can restrain the nucleation of the side wall of the crucible, obtain the vertical columnar crystal structure and maintain the ratio of the dominant crystal direction to the random grain boundary in the long crystal process. In addition, by adjusting the resistance ratio of the top heater, the melt flow mode is improved, and the impurity is transported to the edge and outside of the silicon ingot, and the negative influence of impurity on the quality of polysilicon crystal is reduced.
【作者单位】： 英利能源有限公司;晶科能源有限公司;南昌大学材料学院;
【分类号】：TN304.12

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本文编号：2386517