用于最新技术节点Ge和SiGe的CMP技术研究进展

发布时间：2018-12-28 06:53

【摘要】：对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175 nm(10μm×10μm)。此外对在最新技术节点应用于CMOS以及缓冲层的SiGe材料的CMP技术发展现状进行了总结分析,通过浅沟道隔离技术以及使用优化后的抛光液对Si_(0.5)Ge_(0.5)沟道材料进行化学机械抛光处理后的表面粗糙度为0.09 nm(1μm×1μm)。最后,对目前国内外Ge和SiGe的CMP技术发展现状进行了总结,指出当前CMP技术存在的问题并对其未来发展方向进行了展望。
[Abstract]:The application and development prospect of germanium and silicon germanide are briefly introduced. In this paper, the development status of chemical-mechanical polishing (CMP) technology of germanium used in pMOS transistor channel material under 14 nm technology node is discussed, such as the optimization of polishing liquid composition and the innovation of process parameters. After CMP, The surface roughness of Ge can be reduced to 0.175 nm (10 渭 m 脳 10 渭 m). In addition, the development status of CMP technology applied to CMOS and buffer layer SiGe materials at the latest technology nodes is summarized and analyzed. The surface roughness of Si_ (0.5) Ge_ (0.5) channel material was 0.09 nm (1 渭 m 脳 1 渭 m).) after chemical-mechanical polishing by means of shallow channel isolation technique and optimized polishing solution. Finally, this paper summarizes the development of CMP technology of Ge and SiGe at home and abroad, points out the problems existing in the current CMP technology and looks forward to the future development direction of CMP technology.
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室;
【基金】：河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)
【分类号】：TN305.2

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本文编号：2393627