SiC基GaN激光划片工艺研究

发布时间：2019-01-04 07:22

【摘要】：介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。
[Abstract]:A SiC based GaN laser slicing process is introduced. Based on the analysis of scratch morphology, effect of split, thermal effect and assembly adaptability, the high quality cutting process was optimized in several gallium nitride laser slicing tests, and the yield of the new process was proved by small batch production. There are certain advantages in efficiency.
【作者单位】： 南京电子器件研究所;
【分类号】：TN305

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