一种基于Pspice的IGBT模型

发布时间：2019-01-05 06:49

【摘要】：功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰及开通时间、关断时间等问题是评估一款器件乃至电力系统装置可靠性的重要因素。文中从动态特性出发,研究了一种基于Pspice的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模型。以Trench-FS(Field-stop)型IGBT晶体管KWBW25N120S1E2为例,根据该器件的结构和工艺参数,得到了Pspice模型参数。双脉冲测试仿真结果表明,得到的该器件开通延时、上升和关断时间以及关断延时等动态参数与实测数据基本一致。最后,给出了该模型应用到实际焊机仿真结果与实测的比较,进一步验证了模型的合理性与可靠性。
[Abstract]:The problems of voltage spike, current peak, turn-on time and turn-off time are important factors to evaluate the reliability of a device or even a power system device. Based on the dynamic characteristics, a (IGBT) model of insulated gate bipolar transistor based on Pspice is studied in this paper. Taking Trench-FS (Field-stop) type IGBT transistor KWBW25N120S1E2 as an example, the Pspice model parameters are obtained according to the structure and process parameters of the device. The simulation results of dual-pulse test show that the dynamic parameters of the device, such as turn-on delay, rise and turn off time and turn-off delay, are in good agreement with the measured data. Finally, the simulation results of the model applied to the actual welding machine are compared with the measured results, and the rationality and reliability of the model are further verified.
【作者单位】： 江南大学物联网工程学院;江苏中科君芯科技有限公司;
【基金】：江苏省科技计划项目(BE2016038)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2401432