全息曝光实现的20波长DFB半导体激光器阵列

发布时间：2019-01-05 08:51

【摘要】：报道了一种基于全息曝光技术实现的20波长分布反馈式(DFB)半导体激光器阵列。传统的DFB半导体激光器光栅一般是利用电子束曝光的方式来实现,这种方式精度较高,然而成本昂贵并且非常耗时,不适合大规模生产应用,而全息方式制作容易,成本很低,适合大规模生产应用。实验结果表明,利用全息曝光技术实现的DFB激光器阵列具有良好的光电特性,激光器阵列的波长偏差在-0.5 nm至0.45 nm,阈值电流在13m A至17 m A,斜效率为0.4 W/A;50 m A偏置电流下,边模抑制比都大于40 d B。
[Abstract]:A 20 wavelength distributed feedback (DFB) semiconductor laser array based on holographic exposure technique is reported. The traditional DFB semiconductor laser grating is usually realized by electron beam exposure, which has high precision, but it is expensive and time-consuming, so it is not suitable for mass production, and the holographic method is easy to fabricate, and the cost is very low. Suitable for mass production. The experimental results show that the DFB laser array realized by holographic exposure technique has good photoelectric characteristics, and the wavelength deviation of the laser array is from -0.5 nm to 0.45 nm, threshold current from 13 Ma to 17 Ma. The oblique efficiency is 0.4 W / A; At 50 Ma bias current, the side mode rejection ratio is more than 40 dB.
【作者单位】： 江苏省邮电规划设计院有限责任公司;
【分类号】：TN209

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本文编号：2401543