基于晶体管GP模型的Multisim仿真建模方法
[Abstract]:In the design of modern electronic circuit, it is necessary to do the preliminary software simulation of the circuit first. However, the reliability and authenticity of the simulation results depend on whether the established simulation model is correct or not. The Multisim simulation software provides some simulation models of Triode, but it is not comprehensive enough. For the specific transistor, it is necessary to establish the corresponding simulation model in the simulation software, in order to obtain the ideal simulation results. Using the data manual of transistor, the method of establishing GP model of transistor in Mulitism simulation software is introduced. The DC scanning and AC characteristics of 2N3903 Triode are compared and analyzed. It can be seen from the DC scanning analysis results that in the saturation region, the simulation curve is basically consistent with the measured curve, and in the magnified region, there is a certain difference between the simulation curve and the actual measurement, but the average relative error is less than 10%. The main reason is the dispersion of the transistor, while the data manual provides average characteristics. It can be seen from the simulation and measurement results of the baud chart that the simulated 3dB band is larger than the actual 3dB band. The main reason is that only the influence of the interpolar capacitance of the transistor is considered in the simulation model, but the influence of the substrate capacitance of the transistor is not taken into account. The experimental results show that the simulation model established by this method is basically consistent with the measured data.
【作者单位】: 西南大学工程技术学院;
【基金】:西南大学博士基金项目(SWU116044);西南大学教学改革研究项目(2016JY012)
【分类号】:TN32
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,本文编号:2450873
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