碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究
[Abstract]:The silicon carbide (Si C) thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) were etched in shallow grooves with SF6/O2 mixture gas and the orthogonal design method was used. The effects of reaction chamber pressure, bias RF (BRF) power and O2 ratio on etching rate of sic thin films in inductively coupled plasma (ICP) etching were studied. The experimental results show that the influence of BRF power on the etching rate is highly significant, and the degree of influence of each factor on the etching rate is in turn the ratio of BRF power reaction chamber pressure O _ 2 to O _ 2. The influence mechanism of the selected factors on the etching rate of sic thin films was also discussed.
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;中北大学电子测试技术国防科技重点实验室;
【基金】：国家杰出青年科学基金资助项目(51425505)
【分类号】：TN305.7
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，本文编号：2456055
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