基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT

发布时间：2019-04-11 14:50

【摘要】：在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
[Abstract]:A new type of transverse insulated gate bipolar transistor (SOI AWIL-LIGBT) based on anode weak inversion layer is fabricated on SOI substrate. By using the high resistance formed by the inversion, the anode of the PN junction can be switched on rapidly, and the hole in the P region of the anode can be injected into the drift region more quickly, thus eliminating the negative resistance effect. The simulation results show that the breakdown voltage of the new LTGBT is 307V (the length of drift region is 18 渭 m), which is 56% higher than that of conventional SA-LIGBT, and the negative resistance effect is eliminated.
【作者单位】： 南京邮电大学电子科学与工程学院射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274080)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2456500