热氧化ZnS∶Ga制备ZnO∶Ga薄膜及其光致发光性能

发布时间：2019-05-08 12:44

【摘要】：利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS(ZnS∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。
[Abstract]:ZnS (ZnS:Ga) thin films doped with different amounts of Ga were prepared by chemical bath deposition, and Ga-doped ZnO (ZnO:Ga) films were grown by thermal oxidation. The surface morphology, composition and photoluminescence properties of ZnO:Ga films were studied. The results show that the doping of Ga changes the microstructure, stoichiometric ratio and relative oxygen vacancy content of ZnO thin films, and then affects the photoluminescence properties of the films. With the increase of Ga doping, the density of ZnO films increases and the particle size decreases, while the relative oxygen vacancy content decreases with the improvement of the stoichiometric ratio of ZnO, and the UV / visible light intensity ratio of ZnO films increases.
【作者单位】： 西安理工大学材料科学与工程学院;陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(51202191) 陕西省自然科学基础研究计划(2015JM5179) 陕西省教育厅重点实验室科学研究计划项目(15JS072)
【分类号】：TN304.2

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本文编号：2471919