GaAs光导开关损伤机理研究

发布时间：2019-06-13 17:19

【摘要】：光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,研究和分析了光导开关的击穿机理以及开关击穿可能存在的工艺问题。
[Abstract]:The damage of photoconductive switch (photoconductive semiconductor switches,PCSS is divided into thermal breakdown and electric breakdown. The reasons for the two kinds of breakdown are determined by the trap characteristics of the switch substrate material, so it is very important to study the relationship between the breakdown mechanism of the chip and the fabrication process of the switch. Based on the material characteristics of the switch chip and the knowledge of semiconductor technology, the breakdown mechanism of the photoconductive switch and the possible technological problems of the switch breakdown are studied and analyzed in this paper.
【作者单位】： 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
【基金】：合肥工业大学产学研校企合作资助项目(W2014JSF0299)
【分类号】：TN303

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本文编号：2498683