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太赫兹频域内反铁磁体系和频性质研究

发布时间:2019-06-13 22:49
【摘要】:磁性材料的非线性效应来自于材料本身的一种内禀性质。反铁磁材料作为一种典型的磁结构,它的光学非线性研究已成为当前的一个热点。反铁磁材料的共振频率响应区间处于远红外,正位于太赫兹频段。而太赫兹波频区又是目前国际上新的通信和探测技术开发的重要频谱区域。因此研究这一区间反铁磁材料的非线性性质是有实际意义的。理论上传统非线性光学性质主要来自于介质中的电极化对电磁波电场的非线性响应;而对于磁性物质来说,动力学磁化的非线性响应主要来自于介质中的磁化对电磁波磁场的非线性响应。反铁磁材料的非线性效应比较弱,要激发其非线性效应需要很高的光强。因此,在现有光源的基础上,提高其非线性效应对实际应用研究是非常有意义的。本文以传输矩阵方法为理论基础,研究了反铁磁体系和频效应的生成及性质。研究获得以下有意结果:1.Voigt位型下反铁磁体单层膜和频生成理论研究。研究发现,其连续不断的和频输出与信号波频率有关,且当两个信号波频率都位于反铁磁单层膜共振频率附近时,可以诱发较高的和频输出值。利用和频效应可在THz频率范围内获得新光源。2.讨论Voigt位型下增强反铁磁体膜和频生成的方法。提出电介质/反铁磁体/金属三明治结构。研究发现,和频输出能流与电介质及入射角度密切相关。电介质/反铁磁/金属三明治结构输出的能流密度是裸膜的十几倍。同时,实现磁场对和频波输出的控制,为设计和制造和频器件提供理论支持。
[Abstract]:The nonlinear effect of magnetic materials comes from an intrinsic property of the material itself. As a typical magnetic structure, the optical nonlinear study of antiferromagnetic materials has become a hot spot at present. The resonance frequency response range of antiferromagnetic materials is in the far infrared band, which is located in terahertz frequency band. Terahertz wave frequency region is an important spectrum region developed by new communication and detection technology in the world at present. Therefore, it is of practical significance to study the nonlinear properties of antiferromagnetic materials in this region. In theory, the traditional nonlinear optical properties mainly come from the nonlinear response of the polarization in the medium to the electric field of the electromagnetic wave, while for the magnetic material, the nonlinear response of the dynamic magnetization mainly comes from the nonlinear response of the magnetization in the medium to the magnetic field of the electromagnetic wave. The nonlinear effect of antiferromagnetic material is weak, so it needs high light intensity to stimulate its nonlinear effect. Therefore, on the basis of the existing light source, it is very meaningful to improve its nonlinear effect for practical application research. Based on the theory of transfer matrix method, the generation and properties of antiferromagnetic system and frequency effect are studied in this paper. The following intentional results are obtained: theoretical study on the formation of antiferromagnet monolayers and frequency in 1.Voigt configuration. It is found that the continuous sum frequency output is related to the signal wave frequency, and when the two signal wave frequencies are located near the resonance frequency of antiferromagnetic monolayers, a higher sum frequency output value can be induced. A new light source can be obtained in the frequency range of THz by using the sum frequency effect. 2. The method of enhancing antiferromagnetic film and frequency generation under Voigt configuration is discussed. The dielectric / antiferromagnet / metal sandwich structure is proposed. It is found that the output energy current of sum frequency is closely related to dielectric and incident angle. The energy flow density of dielectric / antiferromagnetic / metal sandwich structure is more than ten times higher than that of bare film. At the same time, the control of magnetic field and frequency wave output is realized, which provides theoretical support for the design and manufacture of sum frequency devices.
【学位授予单位】:哈尔滨师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:O441.4

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本文编号:2498876

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