RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究

发布时间：2019-09-07 06:42

【摘要】：Full-in-cell(FIC)产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蚀设备进行N+Etch时,氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面,当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气,遇到水分发生水解反应,对Al线造成腐蚀,严重影响产品特性。本文在RIE刻蚀模式腔体内采用刻蚀条件变更改善Al腐蚀现象,通过对刻蚀的前处理步骤,后处理步骤以及去静电步骤的参数包括压强、功率和时间以及气体流量比进行实验设计并对数据进行分析。实验结果表明当后处理步骤2 000 W,O_2/SF_6比例为2 000mL·min~(-1)/50mL·min~(-1),压强为200mt(1mt=0.133Pa),Time为15s为最优条件,可以彻底改善Al腐蚀现象。此条件TFT特性方面更加优越,Dark I_(on)为1.91μA,Photo I_(off)为4.1pA。
【作者单位】： 北京京东方光电科技有限公司;
【基金】：京东方研发基金~~
【分类号】：TN305.7

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 周荣春,张海霞,郝一龙;微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状[J];微纳电子技术;2003年Z1期

2 敬小成,黄美浅,姚若河;携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响[J];微电子学;2005年05期

3 王冲;郝跃;冯倩;郭亮良;;氮化镓干法刻蚀研究进展[J];半导体技术;2006年06期

4 葛强;;硅的干法刻蚀简介[J];集成电路应用;2008年04期

5 张钦亮;苏静洪;王谟;平志韩;雍春娥;祝启蒙;金志杰;;一种干法刻蚀机的新型装载腔设计[J];制造技术与机床;2013年03期

6 刘明大;激光辅助干法刻蚀的新进展[J];半导体光电;1986年02期

7 李晓明;;干法刻蚀技术的进展[J];半导体情报;1987年04期

8 朱洪亮;干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展[J];科学通报;1989年22期

9 江泽流;;微细制版中的干法刻蚀技术研究[J];电子工艺技术;1991年05期

10 李祥;干法刻蚀铝合金引线产生的后腐蚀及其对策[J];微电子技术;1996年01期

相关会议论文 前6条

1 杨霏;周瑞;李亮;冯震;李效白;潘宏菽;蔡树军;;碳化硅器件制备中干法刻蚀工艺的研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

2 陈磊;张靖;毛谦;;ICP干法刻蚀技术在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的应用[A];武汉市第二届学术年会、通信学会2006年学术年会论文集[C];2006年

3 张沛元;郭浩;张雄;崔一平;;蓝光LED的Si基图形化衬底制备技术[A];2012（杭州）中国长三角照明科技论坛论文集[C];2012年

4 栗锐;王义;林罡;陈堂胜;;干法栅挖槽GaAs HFET功率管[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年

5 赖建军;赵悦;柯才军;周宏;易新建;翁雪涛;熊平;;硅衍射微透镜阵列的制作技术研究[A];2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集[C];2004年

6 江忠永;李书文;张昊翔;;干法和湿法图形化蓝宝石衬底在GaN基LED上的应用[A];2012（杭州）中国长三角照明科技论坛论文集[C];2012年

相关重要报纸文章 前1条

1 吴建新;在微电子领域奋力攀登[N];大众科技报;2000年

相关博士学位论文 前2条

1 王青鹏;干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工艺及电学特性研究[D];大连理工大学;2015年

2 曹萌;干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年

相关硕士学位论文 前6条

1 李贺;基于金属氧化物半导体的电子器件集成[D];山东大学;2016年

2 张新言;干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善[D];上海交通大学;2009年

3 邱鹏;C_4F_6在130nm产品中接触孔/通孔干法刻蚀工艺中的应用[D];上海交通大学;2008年

4 张超;宽带隙氧化锌和氧化镓的干法刻蚀研究[D];大连理工大学;2014年

5 王笑龙;纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2006年

6 徐炜;0.18微米侧壁（Spacer）干法刻蚀工艺的开发与优化[D];复旦大学;2008年

，

本文编号：2532854