采用瞬态电致发光研究磷光掺杂体系发光瞬时过冲的发射机理
发布时间:2019-10-09 06:09
【摘要】:掺杂型有机电致发光器件中载流子累积、载流子复合等物理过程的深入了解对提高器件效率和稳定性有重要作用。通过瞬态电致发光测量可以研究掺杂型有机电致发光器件内部载流子累积。对结构为:ITO/NPB(30 nm)/host:Ir(ppy)_3/BCP(10 nm)/Alq_3(20 nm)/LiF(0.7nm)/Al(100 nm)的器件分别研究主体材料以及客体掺杂浓度变化对有机掺杂型器件瞬态发光行为的影响。实验发现,当单脉冲驱动电压关闭后,只有TAZ:Ir(ppy)_3掺杂器件出现发光瞬时过冲现象,即发光强度衰减到一定时间时突然增强;且随着客体掺杂浓度的增加,瞬时过冲强度逐渐增强。通过分析TAZ:Ir(ppy)_3掺杂器件的瞬时过冲强度对主体材料与掺杂浓度的依赖关系,进一步发现,瞬时过冲效应强度主要受限于发光层内部积累的电子载流子;TAZ:Ir(ppy)_3发光层内电子容易被客体材料分子俘获并积累,电场突变时陷阱电子容易跳跃到主体材料上并与主体材料上积累的空穴形成激子,激子能量传递到客体材料上并复合发光继而出现发光强度的瞬时过冲现象。研究发光瞬时过冲行为可探究器件发光层内的载流子和激子的动态行为,有利于指导器件的设计,从而减少积累电荷的影响,提高器件的性能。
【图文】:
第3期逦光谱学与光谱分析逦711逡逑(a)逦1邋A邋A逦(b)邋I逦逦逦逡逑-逦,3.0.逦-逡逑丁逦Alq3邋J邋3逦§逦30逦H逡逑U邋-4.0-邋g邋NPB逦^邋r邋_4.3逡逑jt0_逦PVK邋CBP邋TAZ邋|邋Alq3逡逑i逦、逦I邋-5.0-邋4.7邋=邋逦邋5.6逦RCP逡逑s6逦5-,0-逦y邋L,逡逑4逦PEDOT:PSS邋,逦_70.逦从邋_逡逑Glass邋substrate/ITO逦逦逡逑图1逦(a)器件结构图;(b)器件能级图逡逑Fig.邋1逦(a)邋Principle邋structure邋of邋an邋phosphorescent邋OLED邋device;邋(b)邋F2nergy邋level邋diagram邋of邋the邋OLEDs逡逑表1器件结构列表逡逑Table邋1邋Summary邋of邋device邋structure逡逑编号逦器件结构逡逑^A逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPBAl逦:邋8邋Wt%)TAZ:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al逡逑B逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPB/C1逦:邋8邋Wt%)PVK:邋Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al逡逑C逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPBAl逦:邋8邋Wt%)CBP:Ir(ppy)3/BC:P/Alq3/LiF/Al逡逑D逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPB/pure邋Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al逡逑E逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPIV(1邋:邋12邋Wt%)TAZ:邋Ir(ppy)3/BCP/Alq3/L
)逡逑器的响应速度快,可忽略其对瞬态EL信号的影响。器件的逦|逦#逡逑光谱由CCD光谱仪测得。所有测试工作都在大气环境室温逦!逦P逦V\逡逑下完邋逦邋1逦0.2-逦il逡逑OLED邋unit逦g逦Mi逡逑Al(cathode)逦/逦^逡逑/rr^邋ITO(anode)逦逦(逦|逦)逦「逡逑■|邋逦逦邋400逦500逦600逦700逦800逡逑|邋Light邋output)邋PMT邋—p逦Wavelength/nm逡逑,,JB逦|邋iiKn逦图3不同主体材料的器件归一电致发光光谱图逡逑L-I邋I邋I邋260邋逦逦 ̄逦Fig.邋3邋The邋normalized邋EL邋spectra邋of邋all邋devices逡逑1逦逦1逦器件的瞬态EL归一化曲线如图4所示,关闭驱动电压逡逑Pulse邋Generator邋(V)逦_邋Digital邋Oscilloscope邋(V)逦后,器件瞬态发光曲线呈现出不同的特点:只有器件A观察逡逑图2瞬木电致发光测量系统原理图逦到瞬日’J■过冲现象’且拖尾现象明显?器件B邋fqc瞬,态发光;则逡逑Fig.邋2邋Schematic邋diagran,邋of邋.he^erimen.a.邋setup逦榞减弱』光瞬时过冲现象属于激子复合发光行为,可能逡逑for邋transient邋electroluminescence逦来自于以下两个过程:发光层内积累电荷的再复合过程以及逡逑陷阱电荷释放后的再复合过程。分析能级结构发现,该现象逡逑2逦受发光层内靠近阴极界面的积累空穴影响小,而受陷阱电子逡逑的影响大。从图1(b)能级结构看,空穴阻挡层BCP与主体逡逑
【作者单位】: 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室;北京交通大学光电子技术研究所;
【基金】:国家重点研发计划项目(2016YFB0401302) 国家自然科学基金项目(11474018) 北京市科委重大项目(D161100003416001) 中央高校基本科研业务费专项资金项目(2016JBM066)资助
【分类号】:TN383.1
【图文】:
第3期逦光谱学与光谱分析逦711逡逑(a)逦1邋A邋A逦(b)邋I逦逦逦逡逑-逦,3.0.逦-逡逑丁逦Alq3邋J邋3逦§逦30逦H逡逑U邋-4.0-邋g邋NPB逦^邋r邋_4.3逡逑jt0_逦PVK邋CBP邋TAZ邋|邋Alq3逡逑i逦、逦I邋-5.0-邋4.7邋=邋逦邋5.6逦RCP逡逑s6逦5-,0-逦y邋L,逡逑4逦PEDOT:PSS邋,逦_70.逦从邋_逡逑Glass邋substrate/ITO逦逦逡逑图1逦(a)器件结构图;(b)器件能级图逡逑Fig.邋1逦(a)邋Principle邋structure邋of邋an邋phosphorescent邋OLED邋device;邋(b)邋F2nergy邋level邋diagram邋of邋the邋OLEDs逡逑表1器件结构列表逡逑Table邋1邋Summary邋of邋device邋structure逡逑编号逦器件结构逡逑^A逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPBAl逦:邋8邋Wt%)TAZ:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al逡逑B逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPB/C1逦:邋8邋Wt%)PVK:邋Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al逡逑C逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPBAl逦:邋8邋Wt%)CBP:Ir(ppy)3/BC:P/Alq3/LiF/Al逡逑D逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPB/pure邋Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al逡逑E逦ITO/PEDOT邋:邋PSS/NPIV(1邋:邋12邋Wt%)TAZ:邋Ir(ppy)3/BCP/Alq3/L
)逡逑器的响应速度快,可忽略其对瞬态EL信号的影响。器件的逦|逦#逡逑光谱由CCD光谱仪测得。所有测试工作都在大气环境室温逦!逦P逦V\逡逑下完邋逦邋1逦0.2-逦il逡逑OLED邋unit逦g逦Mi逡逑Al(cathode)逦/逦^逡逑/rr^邋ITO(anode)逦逦(逦|逦)逦「逡逑■|邋逦逦邋400逦500逦600逦700逦800逡逑|邋Light邋output)邋PMT邋—p逦Wavelength/nm逡逑,,JB逦|邋iiKn逦图3不同主体材料的器件归一电致发光光谱图逡逑L-I邋I邋I邋260邋逦逦 ̄逦Fig.邋3邋The邋normalized邋EL邋spectra邋of邋all邋devices逡逑1逦逦1逦器件的瞬态EL归一化曲线如图4所示,关闭驱动电压逡逑Pulse邋Generator邋(V)逦_邋Digital邋Oscilloscope邋(V)逦后,器件瞬态发光曲线呈现出不同的特点:只有器件A观察逡逑图2瞬木电致发光测量系统原理图逦到瞬日’J■过冲现象’且拖尾现象明显?器件B邋fqc瞬,态发光;则逡逑Fig.邋2邋Schematic邋diagran,邋of邋.he^erimen.a.邋setup逦榞减弱』光瞬时过冲现象属于激子复合发光行为,可能逡逑for邋transient邋electroluminescence逦来自于以下两个过程:发光层内积累电荷的再复合过程以及逡逑陷阱电荷释放后的再复合过程。分析能级结构发现,该现象逡逑2逦受发光层内靠近阴极界面的积累空穴影响小,而受陷阱电子逡逑的影响大。从图1(b)能级结构看,空穴阻挡层BCP与主体逡逑
【作者单位】: 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室;北京交通大学光电子技术研究所;
【基金】:国家重点研发计划项目(2016YFB0401302) 国家自然科学基金项目(11474018) 北京市科委重大项目(D161100003416001) 中央高校基本科研业务费专项资金项目(2016JBM066)资助
【分类号】:TN383.1
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9 孟宪h
本文编号:2546640
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