磨削速度和压力对单晶硅去除特性的影响

发布时间：2019-11-24 06:38

【摘要】：为研究单晶硅磨削损伤,使用金刚石磨块在不同磨削速度和压力下对单晶硅表面进行高速划擦试验,金刚石的粒度尺寸为38~45μm。通过测量硅片表面粗糙度、亚表面损伤深度和材料去除率,研究磨块的磨削速度和压力对材料去除特性的影响规律。结果表明:相同压力时,材料去除率随磨削速度增加呈先增大后减小的趋势,亚表面损伤深度逐渐变小;随法向压力增大,亚表面损伤深度变化不明显;在5N压力下,表面粗糙度值Ra变化明显,由6.4μm减小到3.2μm;而10N压力下,Ra无明显变化。

【参考文献】

相关期刊论文 前6条

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2565318