二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件

发布时间：2020-01-29 20:38

【摘要】：微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年,正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内,部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点,有望给"后摩尔时代"微电子器件带来新的技术变革.其中,以MoS_2为代表的过渡金属硫化物具有1-2 eV的带隙、良好的空气稳定性和工艺兼容性,在逻辑集成方面有巨大潜力.本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展,重点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状,并为今后的发展指出了方向.
【图文】：

邋２１８５０３逡逑尚迁藤率和辱开关比．＿前，，蹄主流的观点认为＇逡逑石墨烯不适合做数字逻辑器件，更遛会做模拟射频逡逑器件．逡逑近几年，对于二维＇逻辑电子器件的研究逐渐逡逑由石~喯┕�渡到二维半导体材料，它们具有？零逡逑带隙，解决了石星烯＇的最太瓶颈■其中过渡盒属逡逑硫化物（ｔｒａｏｓｉｔｔａｎｔ邋ｍｅｔａｌ．邋ｄｔｅｌＴａｌｃａｇａｉｉｄｅｓ，邋ＴＭＤＣ）逡逑悐由过渡金属（Ａｆ）以及硫诶元素＃�

本文编号：2574463