高压工艺新型ESD器件及全芯片保护研究
【图文】:
电子科技大学硕士学位论文第二章 ESD 保护的基础理论2.1 ESD 的概念静电放电(ESD)是一种最普遍的威胁半导体芯片的可靠性问题。ESD 事件是指有限的电荷从一个对象(如人体)转移到另一个对象(即芯片)的过程。这个过程在很短的时间内会产生非常高的电流通过芯片,因此超过 35%的芯片损坏可以归因于 ESD 相关事件。在半导体行业设计片上 ESD 结构去防止集成电路的 ESD应力损坏已经是一个高优先级的措施。图 2-1 显示了芯片上四种受 ESD 应力损坏的例子,从左上角开始为金属线熔断,金属接触破坏,晶体结构改变,,结损坏。
图 2-2 人体放电示意图 2.2.2 机器模型 MM同 HBM 相比较,机器模型是模拟一充电的机器臂、测试夹具或者任何其他类放电示意图。一般 MM 测试模型有一个这个电容直接进入测试设备通过 500nH 试模型的等效电路图。图 2-4 机械放电示意图
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN405
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本文编号:2686546
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