850nm超辐射发光管结构设计与制作

发布时间：2020-08-01 09:49

【摘要】：超辐射发光管具有不同于激光器和发光二极管的优异光学性能。为了提高超辐射发光二极管的光谱宽度和出光功率,本文设计了外延片有源区非均匀阱宽三量子阱结构和波导区非对称结构;在器件结构方面,利用增益钳制理论提出了器件新结构,设计了多波长增益钳制系统,脊形区采用带有模斑转换器的倾斜条结构;在器件制备方面,器件前后腔面蒸镀增透膜,在器件脊形台面上采用了纳米压印技术制作了多波长表面分布式反馈钳制系统纳米柱。制备的器件泵浦区800μm,吸收区1000μm,倾斜6°脊形条宽5μm,在工作电流为160 mA时,管芯室温连续输出功率为14.63 mW,中心波长846.04 nm,半峰宽23.92 nm。这种新结构增益了器件非中心波长,抑制了中心波长F-P振荡,实现了器件中心波长增益钳制。
【学位授予单位】：长春理工大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2018
【分类号】：TN248;TN312.8
【图文】：

图 1.1 SLD 弯曲波导结构如图 1.1 所示，2015 年，波兰物理学家 Anna Kafar[15]等人研制出弯 420 nm 左右的 SLD 器件，高功率 SLD 的斜率效率可以和 LD 相媲美曲波导结构具有制作简单、且在高电流下非常容易抑制光反馈实现流增大超过一定范围时，弯曲波导结构不会再抑制光反馈，从而变果给定的电流太小则不会高功率输出。其弯曲吸收区的解理面方向夹角一定要大于全反射时的临界角，因此，传播到弯曲吸收区的光到了电流注入区。波导结构

图 1.1 SLD 弯曲波导结构示，2015 年，波兰物理学家 Anna Kafar[15]等人研的 SLD 器件，高功率 SLD 的斜率效率可以和 LD具有制作简单、且在高电流下非常容易抑制光反一定范围时，弯曲波导结构不会再抑制光反馈，流太小则不会高功率输出。其弯曲吸收区的解理大于全反射时的临界角，因此，传播到弯曲吸收入区。

图 1.3 SLD 锥形波导结构图 1.3 所示，2001 年，日本 Takeshi YAMATOYA[17]等科学家研aInAsP/InP 的 SLD。其结构中由 SiO2开窗口锥形波导结构为有心轴 7°倾斜，有源区长度 3.5 mm，该锥形有源区结构抑制了光 1.55 μm 输出功率 330 mw。导结构

【参考文献】

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1 林为才;;陀螺仪在导弹瞄准上的应用前景展望[J];硅谷;2014年16期

2 董家靖;;光纤通信在光电经纬仪中的应用[J];信息通信;2014年05期

3 苑汇帛;李林;乔忠良;孔令沂;谷雷;刘洋;戴银;李特;张晶;曲轶;;MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性[J];中国激光;2014年05期

4 赵建宜;陈鑫;周宁;曹明德;黄晓东;刘文;;纳米压印工艺制作DFB激光器的可靠性研究[J];光学学报;2014年02期

5 段成丽;王振;;超辐射发光二极管的研究进展[J];半导体光电;2013年03期

6 仕均秀;秦莉;叶淑娟;张楠;刘云;宁永强;佟存柱;曾玉刚;王立军;;具有表面二阶金属光栅的927nm分布反馈半导体激光器的研制[J];光电子.激光;2011年10期

7 殷建玲;刘军;余伟涛;;光纤陀螺光源温控特性研究[J];半导体光电;2010年05期

8 叶淑娟;秦莉;戚晓东;胡永生;张楠;宁永强;王立军;;二阶光栅分布反馈半导体激光器的出光特性[J];中国激光;2010年09期

9 景金霞;哈少平;范文燕;;前节光学相干断层扫描在青光眼研究中的应用[J];国际眼科杂志;2010年06期

10 王佐才;吕雪芹;金鹏;王占国;;超辐射发光二极管的应用[J];红外技术;2010年05期

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1 赵海峰;半导体激光器芯片减薄、抛光工艺研究[D];长春理工大学;2013年

2 何周;布里渊光纤陀螺谐振腔及锁定效应的研究[D];哈尔滨工程大学;2009年

3 张悦苏;980nm高功率半导体激光器[D];长春理工大学;2002年

本文编号：2777304